品牌：Infineon
封裝：IGBT
批號：18+
數(shù)量*：10000
描述：FP25R12W2T4
FP25R12W2T4
FP25R12W2T4
FP25R12W2T4
FP25R12W2T4
功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
Infineon Technologies
FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙隴ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
Infineon Technologies
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細(xì)信息 
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 39 A
封裝 / 箱體: EASY2B
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 12 mm 
長度: 56.7 mm 
系列: IGBT4 
寬度: 62.8 mm 
商標(biāo): Infineon Technologies 
安裝風(fēng)格: Chassis Mount 
CNHTS: 8541290000 
HTS Code: 8541290095 
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V 
MXHTS: 85412999 
產(chǎn)品類型: IGBT Modules 
工廠包裝數(shù)量: 15 
子類別: IGBTs 
TARIC: 8541290000 
商標(biāo)名: TRENCHSTOP 
零件號別名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561 
單位重量: 39 g
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細(xì)信息 
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.25 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 39 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
系列: IGBT4 
商標(biāo): Infineon Technologies 
安裝風(fēng)格: Chassis Mount 
CNHTS: 8541290000 
HTS Code: 8541290095 
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V 
MXHTS: 85412999 
產(chǎn)品類型: IGBT Modules 
工廠包裝數(shù)量: 15 
子類別: IGBTs 
TARIC: 8541290000 
商標(biāo)名: TRENCHSTOP 
零件號別名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966 
單位重量: 39 g

功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 39A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP25R12W2T4 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter INFINEON
Infineon Technologies
FP25R12W2T4_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter H脙露chstzul脙隴ssige Werte / maximum rated valuesINFINEON
Infineon Technologies
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細(xì)信息 
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 39 A
封裝 / 箱體: EASY2B
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
高度: 12 mm 
長度: 56.7 mm 
系列: IGBT4 
寬度: 62.8 mm 
商標(biāo): Infineon Technologies 
安裝風(fēng)格: Chassis Mount 
CNHTS: 8541290000 
HTS Code: 8541290095 
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V 
MXHTS: 85412999 
產(chǎn)品類型: IGBT Modules 
工廠包裝數(shù)量: 15 
子類別: IGBTs 
TARIC: 8541290000 
商標(biāo)名: TRENCHSTOP 
零件號別名: FP25R12W2T4BOMA1 SP000307561 
單位重量: 39 g
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
RoHS: 詳細(xì)信息 
產(chǎn)品: IGBT Silicon Modules
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.25 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 39 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 175 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
系列: IGBT4 
商標(biāo): Infineon Technologies 
安裝風(fēng)格: Chassis Mount 
CNHTS: 8541290000 
HTS Code: 8541290095 
柵極/發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V 
MXHTS: 85412999 
產(chǎn)品類型: IGBT Modules 
工廠包裝數(shù)量: 15 
子類別: IGBTs 
TARIC: 8541290000 
商標(biāo)名: TRENCHSTOP 
零件號別名: FP25R12W2T4B11BOMA1 SP000413966 
單位重量: 39 g

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