- SPA20N65C3
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詳細信息
品牌：INFINEON
封裝：TO-220F
批號：11+
數(shù)量：9080
描述：數(shù)據(jù)列表 SP(P,I,A)20N65C3
產(chǎn)品相片 TO-220AB
標準包裝 500
類別 分立半導體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 20.7A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 13.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 114nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 2400pF @ 25V
功率 - 最大值 34.5W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3
包裝 管件
相關(guān)型號：
SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
封裝：TO-220F
批號：11+
數(shù)量：9080
描述：數(shù)據(jù)列表 SP(P,I,A)20N65C3
產(chǎn)品相片 TO-220AB
標準包裝 500
類別 分立半導體產(chǎn)品
FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓 (Vdss) 650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） 20.7A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 13.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 114nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 2400pF @ 25V
功率 - 最大值 34.5W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO220-3
包裝 管件
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SP000216362
SPA20N65C3IN
SPA20N65C3XK
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警方提示：網(wǎng)上買、賣商品要謹慎小心，以免上當受騙。
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