- TPS2022DRBR
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詳細信息
品牌:TI德州
封裝:SON8
批號:18+
數(shù)量*:18000
描述:描述
該TPS202x系列電源分配開關(guān)適用于應(yīng)用程序的高電容負載和短路可能會遇到。這些裝置50 mΩ的N溝道MOSFET高側(cè)功率開關(guān)。該開關(guān)由一個控制邏輯電路使能與5- V邏輯和3 - V邏輯兼容。柵極驅(qū)動由內(nèi)部電荷泵設(shè)計為控制電源開關(guān)的上升時間和下降時間,以減少提供開關(guān)過程中電流浪涌。電荷泵無需外部元件,并允許從操作耗材低至2.7 V.當輸出負載超過限流閾值或短存在, TPS202x限制輸出到一個安全水平通過切換成恒流模式,拉過電流(OC)邏輯輸出低電流。當連續(xù)重過載和短路增加的功耗的開關(guān),使結(jié)溫度升高,熱保護電路關(guān)斷,以防止損壞開關(guān);謴(fù)從熱關(guān)機自動一旦設(shè)備充分冷卻。內(nèi)部電路確保開關(guān)一直關(guān)閉,直到有效輸入電壓。僅在短路電流閾值的TPS202x的裝置不同。該TPS2020限制在0.3 -A負載時,TPS2021 0.9 -A負載時, TPS2022在1.5 A負載時, TPS2023 2.2 -A稱重和TPS2024 3 -A稱重(見可用的選項) 。該TPS202x是采用8引腳小外形集成電路( SOIC)封裝并在8腳雙列直插式封裝( DIP) ,工作在-40° C至125 ° C的結(jié)溫范圍內(nèi)。
特點
33毫歐( 5 - V輸入)高側(cè)MOSFET開關(guān)
短路保護和熱保護
過流邏輯輸出工作范圍。 。 。 2.7 V至5.5 V
邏輯電平使能輸入
典型上升時間。 。 。 6.1毫秒
欠壓鎖定
最大待機電流。 。 。 10μA
不漏源背柵二極管提供8引腳SOIC和PDIP封裝
環(huán)境溫度范圍為-40° C至85°C
2千伏人體-型, 200 -V機器模型ESD保護
名稱:深圳市凌曄科技有限公司
地址:深圳市福田區(qū)中航路華強廣場C座13L
QQ:869030400
聯(lián)系人:張小姐
聯(lián)系電話:0755-83660559 13544017528
封裝:SON8
批號:18+
數(shù)量*:18000
描述:描述
該TPS202x系列電源分配開關(guān)適用于應(yīng)用程序的高電容負載和短路可能會遇到。這些裝置50 mΩ的N溝道MOSFET高側(cè)功率開關(guān)。該開關(guān)由一個控制邏輯電路使能與5- V邏輯和3 - V邏輯兼容。柵極驅(qū)動由內(nèi)部電荷泵設(shè)計為控制電源開關(guān)的上升時間和下降時間,以減少提供開關(guān)過程中電流浪涌。電荷泵無需外部元件,并允許從操作耗材低至2.7 V.當輸出負載超過限流閾值或短存在, TPS202x限制輸出到一個安全水平通過切換成恒流模式,拉過電流(OC)邏輯輸出低電流。當連續(xù)重過載和短路增加的功耗的開關(guān),使結(jié)溫度升高,熱保護電路關(guān)斷,以防止損壞開關(guān);謴(fù)從熱關(guān)機自動一旦設(shè)備充分冷卻。內(nèi)部電路確保開關(guān)一直關(guān)閉,直到有效輸入電壓。僅在短路電流閾值的TPS202x的裝置不同。該TPS2020限制在0.3 -A負載時,TPS2021 0.9 -A負載時, TPS2022在1.5 A負載時, TPS2023 2.2 -A稱重和TPS2024 3 -A稱重(見可用的選項) 。該TPS202x是采用8引腳小外形集成電路( SOIC)封裝并在8腳雙列直插式封裝( DIP) ,工作在-40° C至125 ° C的結(jié)溫范圍內(nèi)。
特點
33毫歐( 5 - V輸入)高側(cè)MOSFET開關(guān)
短路保護和熱保護
過流邏輯輸出工作范圍。 。 。 2.7 V至5.5 V
邏輯電平使能輸入
典型上升時間。 。 。 6.1毫秒
欠壓鎖定
最大待機電流。 。 。 10μA
不漏源背柵二極管提供8引腳SOIC和PDIP封裝
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2千伏人體-型, 200 -V機器模型ESD保護
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警方提示:網(wǎng)上買、賣商品要謹慎小心,以免上當受騙。
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